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详细信息IP属地 上海 感光,感光胶,感光性,器件类技术资料(168元/全套)欢迎选购!请记住本套资料售价:168元;资料编号:F364478 敬告:我公司只提供技术资料,不能提供任何实物产品及设备,也不能提供生产销售厂商信息。 [7444-0045-0001] 平板显示装置及其制造方法 [摘要] 本发明公开了一种平板显示装置和该装置的制造方法。这种平板显示包括设置在基片上面布置的第*电极层和第二电极层。排列在第*电极层和第二电极层之间的多个象素区域是由一个包含发光层的发光部分构成。至少在象素区域之间的一部分,挡板由至少一层或多层构成,并且在每个挡板的至少一侧形成了一个沟槽部分。 [7444-0170-0002] 光掩模 [摘要] 在假想区域(2)及(3)上,作为副图形形成有虚拟图形。其中,在只形成有假想区域(2)及(3)的主图形的情况下的开口率,分别为60%、90%。假想区域(2)中的虚拟图形,是一边的长度为0.15μm的正方形遮光图形,假想区域(3)中的虚拟图形,是一边的长度为0.20μm的正方形遮光图形。同时,假想区域(2)及(3)的开口率,均设定在30%。如果进行使用这样的光掩模的曝光,则在感光体的曝光用的光照射到的范围内,在任何一点上,由局部光斑产生的光的量基本上是均匀的。其结果,即使产生线宽的变化,其程度在整个光掩模上也是均匀的。 [7444-0151-0003] 一种多自由度运动和定位装置 一种多自由度运动和定位装置,它由调平轴、柔性块、轨迹板和由立柱框架、提升旋转分离机构、导轨、导轨平台、电机平台、运动平台共同构成的支撑机构所组成;该调平轴旋合在立柱框架上,通过旋转调平轴来精确调整其支撑的调整平台;该轨迹板固定在立柱框架上,而轨迹销则固定在运动平台上,该提升旋转分离机构的上主轴通过压紧螺母固定在导轨平台底部。其结构紧凑,支承荷载大,可减轻冲击,高度、水平可调节,具有多个自由度,并且能按预定轨迹准确运动,且运动平稳,可靠性高,并能实现机构的提升、旋转及分离。特别是在光刻设备制造中,用于支撑光刻机掩模台并使掩模台按预定轨迹运动。 [7444-0127-0004] 纳米压印光刻胶 [摘要] 本发明涉及一种电子元件的微结构化方法,其提供高分辨率(≤200纳米)和良好纵横比,但明显比照相平版印刷法更为经济。根据本发明的方法包括下列步骤:i)制备如权利要求1的纳米复合材料组合物的未固化的平面溶胶膜;ii)制备由底涂层b)和载体c)组成的目标底材;iii)借助微结构化的转移压印冲头将得自i)的溶胶膜材料转移至ii)中的底涂层b)上;iv)将转移的溶胶膜材料予以固化;v)移除转移压印冲头,得到压印的微结构作为顶涂层a)。微结构化的半导体材料的制备另外包括下列步骤:vi)等离子体蚀刻残余的纳米复合材料溶胶膜层,优选用chf3/o2等离子体,vii)等离子体蚀刻底涂层,优选用o2等离子体,viii)蚀刻半导体材料或者在经蚀刻区域掺杂半导体材料。 [7444-0120-0005] 高尔夫球杆头表面蚀刻方法 [摘要] 一种高尔夫球杆头表面蚀刻方法。为提供一种增加蚀刻精密度、提升蚀刻良率、加速蚀刻制程及降低蚀刻成本的高尔夫球运动器具部件制造方法,提出本发明,它包括在高尔夫球杆头欲蚀刻金属表面涂布遮罩层的步骤一;利用激光光束照射遮罩层,以形成预定纹路的裸露窗口的步骤二;化学蚀刻处理对应裸露窗口的金属表面,以蚀刻出预定纹路的步骤三及清除遮罩层的步骤四。 [7444-0141-0006] 在晶片处理中低电介质材料的钝化方法 [摘要] 公开了一种使用超临界二氧化碳钝化溶液来钝化二氧化硅基低k材料的方法,所述钝化溶液包括甲硅烷基化剂。所述甲硅烷基化剂优选是有机硅化合物,其包括具有五个碳原子的有机基团,例如六甲基二硅氮烷(hmds)和氯三甲基硅烷(tmcs)以及它们的组合。依照本发明的实施方案,当所述二氧化硅基低k材料被暴露到所述超临界处理溶液时,其被保持在40到200摄氏度范围内的温度,优选在大约150摄氏度,和保持在1,070到9,000psi范围内的压力,优选在大约3,000psi的压力。依照本发明进一步的实施方案,用超临界二氧化碳清洗溶液同时清洗和钝化二氧化硅基低k材料。 [7444-0081-0007] 优化偏振照明 [摘要] 公开的概念包括一种对将要形成在基底表面上的图案的照明偏振进行优化的方法。通过如下步骤来优化偏振照明:对于至少两种偏振态确定照明器上的至少一点的照明强度,对于至少两种偏振态确定照明器上的至少一点的图像对数斜率,确定*大图像对数斜率(ils)其中对于照明器上的至少一点ils接近零,以及选择相应于对于照明器上的至少一点使ils*小化的至少两个偏振态的*佳偏振态。对于照明器上的多个点可以重复进行这些步骤。 [7444-0054-0008] 用于显微平版印刷的氟化共聚物 [摘要] 说明了光致抗蚀剂组合物和有关显微平版印刷方法中所用的氟化共聚物。这些共聚物包含同时为这些材料提供高紫外(uv)透明度和碱性介质中可显影性的含氟醇或者含氟醇的保护官能团,以及来自包含含氟烷基或羟基取代烷基的丙烯酸酯单体的重复单元。本发明材料的uv透明度高,尤其是在193和157nm下,使它们可以用于在这些短波长下进行平版印刷。 [7444-0083-0009] 光刻装置及器件制造方法 [摘要] 一种光刻装置,包括提供辐射光束的照射系统;物品支架,用于把将设于所述辐射光束光路中的平面物品支撑于其上;设置于所述物品支架中的回填气体输送装置,用于在所述物品被支撑于所述物品支架时,向所述物品的背面输送回填气体;以及夹持装置,用于在投射过程中将所述物品夹持于所述物品支架上。根据本发明的一个方面,该装置包括控制器,用于控制夹持装置和/或回填气体输送压强,以在回填气体输送压强减小之前释放夹持装置。 [7444-0074-0010] 光刻术的方法,装置和计算机程序产品 [摘要] 一种在可以绕轴(5)转动的基本平坦基片(3)的表面层(4)中借助于预定曝光量的光刻射束(2)曝光制成材料槽(6)的方法,其特征是,在基片(3)绕轴转动期间,光刻射束(2)与轴(5)之间的相对位置受到控制,使部分槽(6)接受光刻射束(2)的多次曝光,槽(6)是由所述多次曝光之和制成。此外,描述光刻装置和计算机程序产品,计算机程序产品具有按照该方法控制这种装置的指令。 [7444-0182-0011] 一种采用激光对su-8胶曝光光刻的方法及其装置 [7444-0123-0012] 七自由度定位机构 [7444-0188-0013] 基于多环聚合物的感光组合物 [7444-0202-0014] 曝光装置及方法 [7444-0007-0015] 磺酸衍生物及其作为潜酸的用途 [7444-0178-0016] 高分辨率的圆网制版用感光胶 [7444-0070-0017] 一种用于硬掩膜层的含氧化硅基团的抗反射组合物 [7444-0187-0018] 用于干膜抗蚀剂的热稳定的光固化树脂组合物 [7444-0102-0019] 沉浸式石印流体 [7444-0038-0020] 光刻装置和器件制造方法 [7444-0023-0021] 掩模和使用该掩模制造液晶显示器件的方法 [7444-0183-0022] 光阻用显影液浓度管理方法与管理装置 [7444-0033-0023] 含有包括氟磺酰胺基团的聚合物的正型光刻胶组合物及其使用方法 [7444-0201-0024] 形成反光图案的方法及其制品 [7444-0162-0025] 平版印刷版前体 [7444-0014-0026] 校正在三色调衰减相移掩模中邻近效应的结构和方法 [7444-0056-0027] 图像形成方法和装置 [7444-0192-0028] 用于抗反射涂层的组合物及形成图形的方法 [7444-0190-0029] 极高孔径的投影物镜 [7444-0137-0030] 步进扫描投影光刻机中的杂散光原位检测方法 [7444-0086-0031] 含有酮、醛共聚合物的酸分解性树脂组合物 [7444-0194-0032] 布局数据检验方法、掩模图案检验方法及电路动作检验方法 [7444-0075-0033] 嵌入式衰减相移光掩模坯料 [7444-0124-0034] 使用相移和辅助微细结构使半导体层形成图案 [7444-0177-0035] 高效水乳型圆网感光胶 [7444-0107-0036] 含有反应性颗粒的可光固化组合物 [7444-0173-0037] 防止显影缺陷的方法及用于该方法的组合物 [7444-0117-0038] 光刻胶层中减小图案尺寸的方法 [7444-0135-0039] 用于光刻工艺窗口*优化的方法和系统 [7444-0034-0040] 正型光致抗蚀剂剥离液组合物 [7444-0195-0041] 一种耐酸耐碱的圆网制版感光胶 [7444-0179-0042] 亚波长光刻的实施相平衡散射条放置模型的方法及其装置 [7444-0154-0043] 包含聚合物磺酸盐酸产生剂的辐射敏感组合物及其在成像中的用途 [7444-0025-0044] 掩模 [7444-0015-0045] 感光树脂组合物 [7444-0100-0046] 化学增幅型抗蚀剂及图案形成方法 [7444-0189-0047] 可见光感光性组合物 [7444-0079-0048] 自适应的光刻临界尺寸增强 [7444-0101-0049] 用于等离子体显示板的光敏导电组合物 [7444-0088-0050] 感光性转印薄片、感光性叠层体、形成图像图案的方法、形成配线图案的方法 [7444-0132-0051] 感光性转印片、感光性层合体、图像花样的形成方法以及布线花样的形成方法 [7444-0145-0052] 光刻制程、掩膜版及其制造方法 [7444-0003-0053] x射线光刻对准标记 [7444-0084-0054] 图形形成方法 [7444-0090-0055] 形成具有低电阻率金属图案的方法 [7444-0126-0056] 制造带有立体表面结构化的单元的方法以及该方法的应用 [7444-0040-0057] 曝光装置和器件制造方法 [7444-0020-0058] 显示面板的边框及其构成方法 [7444-0134-0059] 浸润式光刻系统及对具有光阻层的半导体结构的照光方法 [7444-0199-0060] 光刻胶组合物 [7444-0062-0061] 化学放大型正光刻胶组合物 [7444-0144-0062] 放射线敏感性树脂组合物、树脂图案膜及其形成方法以及树脂图案膜的应用 [7444-0017-0063] 光罩处理器及使用此光罩处理器来处理光罩的方法 [7444-0200-0064] 非旋涂方式用正型光致抗蚀剂组合物及抗蚀图形形成方法 [7444-0155-0065] 包含光活性化合物混合物的用于深紫外平版印刷的光刻胶组合物 [7444-0071-0066] 减少多孔介电薄膜清洗期间损伤的处理方法 [7444-0109-0067] 包含缩醛和缩酮作为溶剂的光刻胶组合物 [7444-0111-0068] 特别用于极远紫外(euv)光刻术中的发光系统 [7444-0104-0069] 处理具有倾斜特征的掩模的系统与方法 [7444-0122-0070] 一种双面光刻机底面套刻对准方法 [7444-0063-0071] 光刻过程中晶片热形变的优化校正 [7444-0039-0072] 浸润式光刻之方法与系统 [7444-0065-0073] 图形绘图装置、信息记录媒体的制造方法及母盘制造方法 [7444-0185-0074] 使用无定形碳层改善光栅制造的方法 [7444-0032-0075] 抗蚀剂图案制造工艺及其增厚材料和半导体器件制造工艺 [7444-0030-0076] 水溶性材料、化学放大型抗蚀剂及使用它们的图形形成方法 [7444-0094-0077] 使用前馈覆盖信息的光刻覆盖控制 [7444-0108-0078] 可辐射固化树脂组合物及利用该组合物的快速成型方法 [7444-0119-0079] 有机抗反射涂覆组合物及用其形成光阻图案的方法 [7444-0085-0080] 使用增强的干涉映象光刻技术的特征*优化 [7444-0181-0081] 光刻装置及器件制造方法 [7444-0042-0082] 移动用于浸液光刻的透镜的方法和装置 [7444-0011-0083] 厚外延层上进行投影光刻的方法 [7444-0156-0084] 用于把掩模投影到衬底上的方法和装置 [7444-0078-0085] 一种在普通实验室条件下制作玻璃芯片的方法 [7444-0092-0086] 曝光系统、杂散光检查用的检查掩模及评价光刻工艺的方法 [7444-0168-0087] 一种图案形成方法 [7444-0073-0088] 成像方法 [7444-0097-0089] 自动设计装置和方法及所制中间掩模组和半导体集成电路 [7444-0153-0090] 使用已校准的本征分解模型的光刻过程的制造可靠性检查与验证的方法 [7444-0165-0091] 压模制造方法 [7444-0046-0092] 光刻装置和器件制造方法 [7444-0098-0093] 凹版印刷法与凹板印刷品 [7444-0048-0094] 滤色片的制造方法、固体摄像器件和摄像机 [7444-0204-0095] 光刻装置、洛伦兹致动器、及器件制作方法 [7444-0103-0096] 微影参数反馈系统及控制方法 [7444-0191-0097] 具有照明源的光学装置 [7444-0180-0098] 一种偏振光瞳器件及其在投影光刻系统中的应用 [7444-0082-0099] 抗蚀图形形成方法、使用该法的微细图形形成方法 [7444-0016-0100] 抗蚀剂组合物 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