·硅压阻技术, 微结构芯体和专用集成电路的结合（DIE+ASIC）
（Application Specific Integrated Circuit 特定用途集成电路）
·压力范围
±1 inH2O~10 Bar，表压或差压
1Bar~10Bar绝压
·输出
数字输出：14位二进制数（通过I2C或SPI通讯）
放大的模拟电压
·精度
HSC：1%FSS，0~50 °C
SSC：2%FSS，-20~85 °C
·工作温度范围：-40-85 °C
·介质
无腐蚀，非离子的干燥气体
单端口无腐蚀，非离子的液体（可选）